三星公司近日宣布開發(fā)出了一種新型DIMM內(nèi)存，這種內(nèi)存所使用的芯片中采用了可將多塊芯片組裝在一起的3D堆疊技術(shù)。采用這種技術(shù)的內(nèi)存芯片容量可比普通內(nèi)存芯片的存儲密度提升一倍，用于堆疊的芯片則是三星40nm制程 Green DDR3芯片。
三星稱這款內(nèi)存產(chǎn)品將面向服務(wù)器/企業(yè)級存儲市場，并宣稱這種內(nèi)存產(chǎn)品相比普通的RDIMM內(nèi)存可最多節(jié)電40%，三星還稱采用這種堆疊技術(shù)可以極大地增加下一代服務(wù)器系統(tǒng)的內(nèi)存芯片存儲密度。
3D堆疊技術(shù)可在芯片的垂直方向制出微米級尺寸的連接孔洞穿透芯片，然后在這些孔洞中注入導(dǎo)體材料，通過這種方式將兩塊芯片連接在一起，減小了多芯片的占地面積。三星還計劃在30nm及更高級別制程的內(nèi)存芯片產(chǎn)品上也應(yīng)用這種技術(shù)。
不過三星并沒有透露這款新型RDIMM內(nèi)存的價格信息，僅表示這款產(chǎn)品將于明年上半年正式上市。
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