在說(shuō)明MLC MP3之前我們先了解一下什么是MLC和SLC閃存芯片，以及它們的特點(diǎn)和應(yīng)用。
什么是SLC和MLC？
SLC全稱為Single-Level Cell，MLC全稱為Multi-Level Cell。數(shù)碼播放器中一般采用兩種不同類型的NAND閃存。其中一種叫做SLC（Single Level Cell），單層單元閃存；第二種叫做MLC（Multi Level Cell），多層單元閃存。兩者的主要區(qū)別是SLC每一個(gè)單元儲(chǔ)存一位數(shù)據(jù)，而MLC通過(guò)使用大量的電壓等級(jí)，每一個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。
SLC芯片和MLC技術(shù)特點(diǎn)
一般而言，SLC雖然生產(chǎn)成本較高，但在效能上大幅勝于MLC。SLC晶片可重復(fù)寫入次數(shù)約10萬(wàn)次，而MLC晶片的寫入次數(shù)至少要達(dá)到1萬(wàn)次才算標(biāo)準(zhǔn)，而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片寫入壽命則在5000次左右。
A.讀寫速度較慢。相對(duì)主流SLC芯片，MLC芯片目前技術(shù)條件下，理論速度只能達(dá)到2MB左右，因此對(duì)于速度要求較高的應(yīng)用會(huì)有一些問(wèn)題。
B.MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
C.MLC理論寫入次數(shù)上限相對(duì)較少，因此在相同使用情況下，使用壽命比較SLC短。
MP3主控芯片對(duì)MLC支持的現(xiàn)狀
隨著三星、現(xiàn)代、東芝的MLC閃存芯片開始量產(chǎn)，但是，由于全新的MLC芯片在存儲(chǔ)密度等方面加大，對(duì)主控芯片的要求也越來(lái)越高。特別是對(duì)于讀寫頻繁的數(shù)碼播放器來(lái)說(shuō)，由于MLC閃存的出錯(cuò)幾率很高，對(duì)于視頻和音頻這樣的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，必需具備ECC校驗(yàn)機(jī)制，目前有的主控芯片通過(guò)純軟件校驗(yàn)，這樣，無(wú)形當(dāng)中加重了主控芯片的負(fù)擔(dān)。也有部分主控通過(guò)硬件的4bit ECC校驗(yàn)和軟件校驗(yàn)相結(jié)合，從而減輕了主控負(fù)擔(dān)，但是這只是在一定程度上減少出錯(cuò)的幾率，MLC的芯片寫入次數(shù)限制和傳輸速度等缺點(diǎn)是無(wú)法克服的。
今年在業(yè)界鬧的沸沸揚(yáng)揚(yáng)的歐洲大批量SD卡招回后國(guó)內(nèi)傾銷風(fēng)波，就是因?yàn)橹骺氐脑蛉堑牡�，造成了很大的影響，�?shù)據(jù)讀寫量更大的MP3/MP4此類對(duì)主控要求的嚴(yán)格程度可見一斑。
如何識(shí)別MLC芯片
1、傳輸速率：由于MLC芯片技術(shù)所限，目前市面上的MP3如果采用了高速USB接口，同樣的Mp3出現(xiàn)傳輸速度相差比較大的，比如Rockchip主控芯片寫入速度可以超過(guò)3MB/s，如果有的品牌產(chǎn)品只有1M多，不超過(guò)2MB，就有可能采用MLC芯片。
2、芯片編號(hào)：三星MLC芯片采用的芯片編號(hào)為：K9G****** K9L*****�，F(xiàn)代MLC芯片采用的芯片編號(hào)為：HYUU**** HYUV***
總結(jié)：
MLC在架構(gòu)上取勝SLC，而且國(guó)內(nèi)外廠商也針對(duì)MLC做了很多的優(yōu)化和開發(fā)，未來(lái)很有可能取代SLC閃存芯片。但是就目前來(lái)說(shuō)，數(shù)碼播放器主控芯片對(duì)MLC的支持應(yīng)用目前還不是很成熟，相信很快就會(huì)有更好的解決方案出臺(tái)。
目前MLC和SLC 在2GB閃存芯片上的價(jià)格相差了將近100多元，他們的差異還是比較明顯的。所以對(duì)于選擇數(shù)碼播放器的朋友，選擇更便宜廉價(jià)的MLC芯片產(chǎn)品還是選擇穩(wěn)定性和性能更好的SLC產(chǎn)品，就看你的需要了。
以下是 MP3/4 可使用之FLASH 廠牌及列表：
Brand Cell Page Part Number Capacity
Samsung SLC Small Block K9F1208U0M-Y,P 64MB
K9F1208U0A-Y,P 64MB
K9F1208U0A-V,F 64MB
K9F1208U0B-Y,P 64MB
K9F1208U0B-V,F 64MB
K9F1208U0A-YCB0 128MB
K9K1G08U0M-Y 128MB
K9K1G08U0A-Y,P 128MB
K9K1G08U0A-V,F 128MB
K9T1G08U0M-Y,P 128MB
K9T1G08U0M-V,F 128MB
K9T1G08B0M-Y,P 128MB
K9T1G08B0M-V,F 128MB
K9E2G08U0M-Y,P 256MB
K9E2G08U0M-V,F 256MB
Large Block K9F1G08U0M-Y,P 128MB
K9F1G08U0M-V,F 128MB
K9F1G08U0A-Y,P 128MB
K9F1G08U0A-V,F 128MB
K9F1G16U0M 128MB
K9K2G08U0M-Y,P 256MB
K9K2G08U0M-V,F 256MB
K9F2G08U0M-Y,P 256MB
K9K4G08U0M-Y,P 512MB
K9W8G08U1M-Y,P 1GB
K9F4G08U0M-Y,P 512MB
K9K8G08U0M-Y,P 1GB
K9F4G08U0A 512MB
K9K8G08U0A 1GB
K9WAG08U1M 2GB
MLC Small Block
Large Block K9G4G08U0M-YCB0 512MB
K9L8G08U0M-PCB0 1GB
K9HAG08U1M-PCB0 2GB
Toshiba SLC Small Block TC58512FT 64MB
TC58DVM92A1FT 64MB
TH58100FT 128MB
TC58DVG02A1FT 128MB
TC58DVG04B1FTI0 128MB
TC58DVG14B1FT00 256MB
TC58DVG02A1FT00
TC58DVG02A2FT00 128MB
Large Block TC58NVG0S3AFT 128MB
TH58NVG1S3AFT 256MB
TC58NVG1S3BFT00 256MB
TH58NVG2S3BFT00 512MB
MLC Small Block
Large Block TC58NVG1D4BTG00 256MB
TC58NVG2D4BTG00 512MB
TH58NVG3D4BTG00 1GB
TH58NVG4D4BTG20 2GB
TC58NVG2D4BFT00 512MB
TC58NVG3D4CTG00 1GB
TC58NVG4D4CTG00 2GB
Renasas AG-AND HN29V1G91T-30V 128MB
Infineon
SanDisk SLC Large Block SDTNGEHE0-1024 128MB
SDTNGEFE0-2048 256MB
MLC Small Block SDTNGCHE0-512 64MB
SDTNGCHE0-1024 128MB
SDTNGCHE0-2048 256MB
Hynix SLC Small Block HY27US08121M-T,V 64MB
HY27UA081G1M-T,V 128MB
Large Block HY27UF081G2M-T,V 128MB
HY27UF082G2M 256MB
HY27UG082G2M-T,V 256MB
HY27UG084G2M 512MB
HY27UH084G2M-T 512MB
HY27UF084G2M 512MB
HY27UG088G5M 1GB
HY27UH08AG5M 2GB
HY27UH088G2M 1GB
MLC HY27UT084G2M 512MB
HY27UU088G5M 1GB
ST SLC Small Block NAND128W3A 16MB
NAND256W3A 32MB
NAND512W3A 64MB
NAND01GW3A 128MB
Large Block NAND512W3B 64MB
NAND01GW3B 128MB
NAND02GW3B2AN6 256MB
NAND02GW3B2BN6 256MB
NAND04DW3B 512MB
NAND08GW3B 1024MB
MLC Small Block
Large Block
Micron SLC Small Block
Large Block MT29F2G08AAB 256MB
MT29F4G08BAB 512MB
MT29F8G08FAB 1GB
MT29F2G08AAC 256MB
MT29F4G08AAA 512MB
MLC Small Block
Large Block
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