公司這幾天正準(zhǔn)備給內(nèi)存升級(jí)下，買些DDR3 1333的內(nèi)存回來，可是明年就是出DDR4了，真讓人傷不起。。。
我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會(huì)出現(xiàn)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會(huì)從1600起跳，可以達(dá)到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內(nèi)存已經(jīng)很少給電腦性能帶來太大幫助，DDR4內(nèi)存是否性能過剩，成為末路黃花？目前還不好說，不管怎么樣，技術(shù)總是要向前發(fā)展的。
今天我們就看到國(guó)外媒體有討論DDR4內(nèi)存的發(fā)展。有興趣的朋友可以通過下面的文檔進(jìn)行了解。
現(xiàn)在Intel平臺(tái)內(nèi)存規(guī)格
>DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢(shì)
此前JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)就正式宣布未來DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵技術(shù)，預(yù)計(jì)將會(huì)在2012年中，DDR4內(nèi)存將會(huì)具備更高的性能，并且功耗方面更低。
DDR4技術(shù)特性全面展示
D-DR4針對(duì)未來服務(wù)器、筆記本、臺(tái)式機(jī)、消費(fèi)電子產(chǎn)品進(jìn)行創(chuàng)新設(shè)計(jì)，并且具備諸多新的技術(shù)特性，首先傳輸率方面，DDR4將會(huì)有1.6 GT/s到3.2 GT/s的速度，而目前DDR3是是1.6 GT/s。同時(shí)DDR4還包括在DQ bus、更高的2667 Mhz數(shù)據(jù)傳輸率、Bank群組結(jié)構(gòu)以及集成VrefDQ和增強(qiáng)的訓(xùn)練模式等等。
DDR4標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)規(guī)格
Bank群組結(jié)構(gòu)是個(gè)8n預(yù)取群組結(jié)構(gòu)，它可以使用兩個(gè)或者四個(gè)Bank組，這允許DDR4內(nèi)存在每個(gè)Bank群組單獨(dú)被激活、讀取、寫入或刷新操作，這樣可以帶來更高的內(nèi)存小了和帶寬。
同時(shí)在電壓方面，DDR4也進(jìn)行了調(diào)整，預(yù)計(jì)它的VDDQ電壓將會(huì)在1.2V，未來還會(huì)進(jìn)一步下調(diào)。
除此之外還有以下特性將會(huì)被采用：
·提供三種數(shù)據(jù)寬度：x4, x8和x16
·新的JEDEC POD12接口標(biāo)準(zhǔn)（工作電壓1.2V）
·DifferentialSignaling( 差分信號(hào)技術(shù)）
·新的終止調(diào)度：在DDR4中DQ bus可以轉(zhuǎn)移終止到VDDQ，這樣可以即時(shí)VDD電壓降低的情況下也能保證穩(wěn)定
·正常和動(dòng)態(tài)的ODT：改進(jìn)ODT協(xié)議，并且采用新的Park Mode模式可以允許正常終結(jié)和動(dòng)態(tài)吸入終結(jié)，而不需要去驅(qū)動(dòng)ODT Pin。
·突發(fā)長(zhǎng)度和突發(fā)停止長(zhǎng)度分別為8和4
· 數(shù)據(jù)遮掩
·DBI：可以降低功耗并且提升數(shù)據(jù)信號(hào)完整性
·新的數(shù)據(jù)總線CRC技術(shù)，可以進(jìn)行傳輸過程中的錯(cuò)誤偵測(cè)，特別對(duì)非ECC內(nèi)存進(jìn)行寫入操作時(shí)有幫助。
·針對(duì)命令和地址總線的新的CA奇偶校驗(yàn)
·DLL關(guān)閉模式支持
為進(jìn)一步推廣和采用DDR4標(biāo)準(zhǔn)，JEDEC打算在公布標(biāo)準(zhǔn)以后，舉辦DDR4 Technical Workshop會(huì)議，更多信息將會(huì)在以后正式公布。
DDR4和DDR3內(nèi)存結(jié)構(gòu)對(duì)比
DDR4內(nèi)存預(yù)計(jì)將在2012年發(fā)布，2015年取代DDR3
內(nèi)存速度發(fā)展方向
DDR4內(nèi)存功耗控制更合理
DDR4雖然性能提升了，不過在功耗方面，依然控制的比較理想，這給以后的筆記本等方案可以帶來更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間。
DDR3、DDR4內(nèi)存功耗對(duì)比DDR內(nèi)存數(shù)據(jù)
DDR4通過相應(yīng)技術(shù)降低待機(jī)和工作電流提供更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間
展望DDR4內(nèi)存發(fā)展契機(jī)
那么回到最初的話題，DDR4能夠給我們帶來真正的好處和實(shí)惠呢？
主流DRAM發(fā)展藍(lán)圖
很明顯，未來AMD“Graphics Core Next”GPU將具備X86內(nèi)存尋址特性，換句話說就是可以和CPU一樣調(diào)用系統(tǒng)內(nèi)存，CPU通過MMU內(nèi)存控制器訪問內(nèi)存，而GPU則是通過 IOMMU實(shí)現(xiàn)內(nèi)存調(diào)用。這種新技術(shù)允許系統(tǒng)設(shè)備在虛擬內(nèi)存中進(jìn)行尋址，也就是將虛擬內(nèi)存地址映射為物理內(nèi)存地址，讓實(shí)體設(shè)備可以在虛擬的內(nèi)存環(huán)境中工作，這樣可以幫助系統(tǒng)擴(kuò)充內(nèi)存容量，提升性能。所以未來將會(huì)受益于DDR4內(nèi)存的高帶寬特性。
同時(shí)AMD下一代GPU還具備64bit x86指針、Page fault、地址轉(zhuǎn)換緩存、分配內(nèi)存的功能，操作系統(tǒng)將會(huì)同時(shí)為CPU、GPU內(nèi)存調(diào)用全面服務(wù)。這樣高速內(nèi)存就顯得尤為重要了，否則就會(huì)給系統(tǒng)性能帶來很大瓶頸。
總的來看，DDR4內(nèi)存還是有它未來發(fā)展空間的，它的發(fā)展有賴于處理器、顯卡新技術(shù)的出現(xiàn)，否則目前DDR3內(nèi)存已經(jīng)足夠使用。
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