經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。
時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達(dá)到3200MHz。相比之下，DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率最高僅為1600MHz，運(yùn)行電壓一般為1.5V，節(jié)能版也有1.35V。僅此一點(diǎn)，DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40％。
根據(jù)此前的規(guī)劃，DDR4內(nèi)存頻率最高有可能高達(dá)4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示，這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“Pseudo Open Drain”(虛擬開漏極)技術(shù)，在讀取、寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。
三星稱，上月底已經(jīng)向一家控制器制造商提供了這種DDR4內(nèi)存條的樣品進(jìn)行測(cè)試，并計(jì)劃與多家內(nèi)存廠商密切合作，幫助JEDEC組織在今年下半年完成DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作，預(yù)計(jì)2012年開始投入商用。
回顧歷史，三星曾于1997年、2001年、2005年三次分別率先造出第一條DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存條，如今又在DDR4上繼續(xù)保持了領(lǐng)先地位。
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